邁向“芯”的制高點

華微電子召開IGBT產品內部發布會

2010年9月30日，華微電子召開IGBT產品內部發布會。會議重點介紹了公司IGBT產品研發進程以及取得的階段性成果，標志著公司產品結構調整工作已經邁出堅實步伐，標志著公司在功率半導體器件高端領域的研發工作再次取得突破性進展。

本次發布會由公司副總工程師兼MOS產品總監李強主持。他首先介紹了IGBT產品在半導體技術中的價值，IGBT在市場中的應用空間及其對公司未來發展的帶動作用。IGBT市場容量巨大，市場潛力巨大，應用空間廣闊。它順應了節能減排潮流，從消費電子到工業控制，從汽車電子到新能源領域等都能見到IGBT的身影，近年來在終端市場的強勢發展帶動下，IGBT產品已經成為功率器件家族中的新興力量。公司自確立IGBT產品研發項目以來，技術人員勇于創新、不懈努力，積累了豐富的自主研發技術經驗，至目前已取得突破性進展，15A/1200V IGBT產品在三家客戶通過小批量認證，批量供貨后將在一定程度上緩解當前市場供應緊張的局面。

發布會上，產品工程師系統介紹了有關IGBT產品的技術特點以及應用情況等詳細內容，來自公司各部門的管理人員、市場營銷業務人員以及產線技術人員等分別就IGBT產品的原材料選擇、市場應用情況以及未來研發方向等提出相關問題，產品工程師對此進行了細致解答與說明，由此進一步加深了與會人員對IGBT產品的理解與認知。

發布會即將結束時，公司趙東軍總經理做總結性發言。他首先肯定了IGBT研發團隊為項目取得成功而付出的艱苦努力，并對當前所取得的研發成果表示祝賀。趙總經理結合當前市場競爭環境與公司發展戰略要求，號召全體員工以IGBT產品的發布作為全新工作起點，振奮精神，樹立起勇于爭先的豪氣與勇氣，攻堅破難、開拓創新，圍繞公司“全面改善經營質量”這一指導思想，突出工作重點，順時而動，全力以赴開創公司經營發展新局面，邁向“芯”的制高點。

IGBT產品的研發成功是華微電子產品發展史上的重要里程碑，表明公司已經搭建起IGBT產品基礎工藝平臺，并使產品進一步實現系列化研發成為可能，為我司順利進入軌道交通、工業控制以及新興能源等領域提供了產品基礎。

公司副總經理韓毅、張澤偉、王曉林以及董事會秘書赫榮剛出席本次發布會。

發布會現場

公司副總工程師兼MOS產品總監李強主持發布會

（前排右起：總經理趙東軍、產品工程師王修中、副總工程師兼MOS產品總監李強）

IGBT項目組全體員工與公司趙東軍總經理合影