本報記者 尹麗梅 童海華

北京報道“新基建”是近期熱詞之一。新冠疫情暴發后，市場對上馬新一輪基建項目抱有預期。日前，國家發改委明確了“新基建”的范圍，從此前5G、特高壓等七大領域向更多領域擴圍。

在“新基建”的風口下,半導體芯片等是當之無愧的“國之重器”。作為服務5G的核心，電子行業成了支撐“新基建”的基石之一，“半導體”這類硬科技成為當下資本的“關鍵詞”。

多位受訪人士認為，5G等“新基建”的到來，有望引導我國半導體產業進入新一輪發展周期。“新基建”將成為2020年半導體市場回暖的主要動力。

“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半導體芯片等基礎元器件，功率半導體產業是‘新基建’的‘心臟’，本土功率半導體芯片需求將趨于旺盛。”吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱“華微電子”，600360.SH)一位負責人對《中國經營報》記者談道。

華微電子是國內功率半導體行業龍頭企業之一，自2001年3月上市至今，建立了從高端二極管、單雙向可控硅、MOS系列產品到第六代IGBT國內最齊全、最具競爭力的功率半導體器件產品體系。

“新基建”東風起

突如其來的新冠疫情，給中國和世界經濟都帶來了較大的負面沖擊，全球經濟弱企穩的格局被打破。當前經濟環境下，2019年《政府工作報告》中被重點提及的“新基建”成為我國經濟發展的新動能。

近日，國家發改委首次明確“新基建”范圍——“新基建”是以新發展理念為引領，以技術創新為驅動，以信息網絡為基礎，面向高質量發展需要，提供數字轉型、智能升級、融合創新等服務的基礎設施體系。

發改委最新界定的“新基建”，包括信息基礎設施、融合基礎設施、創新基礎設施等三方面內容，涵蓋眾多領域。其中信息基礎設施包括以5G、物聯網、工業互聯網、衛星互聯網為代表的通信網絡基礎設施，以人工智能、云計算、區塊鏈等為代表的新技術基礎設施，以數據中心、智能計算中心為代表的算力基礎設施等;融合基礎設施包括智能交通基礎設施、智慧能源基礎設施等;創新基礎設施則包括重大科技基礎設施、科教基礎設施、產業技術創新基礎設施等。

“政府加快‘新基建’進度，一方面，是為了對沖疫情沖擊導致的需求萎縮，‘新基建’將是投資的重要增長點，成為穩增長的重要抓手;另一方面，則是從長遠發展考慮，為中國經濟下一階段的結構轉型、提質增效打好基礎。”有業內人士分析道。

半導體芯片是新興工業的基礎，是信息技術產業的核心上游產業。半導體設備作為“新基建”領域的底層支撐，業內認為，“新基建”政策將會帶動數字IC、模擬IC、射頻器件、功率半導體、傳感器以及第三代半導體材料的全面發展。

“5G、大數據、人工智能等‘新基建’，有望引導我國半導體產業進入新一輪發展周期。其中，半導體行業是 5G 通信網絡的上游，因此，整個5G通信網絡的建設不僅為其帶來了大量的中下游的新增需求，也成為2020年半導體市場回暖的主要動力。”萬聯證券分析師王思敏表示。

華微電子方面一位負責人也對記者談道：“5G、新能源等‘新基建’均涉及功率半導體芯片等基礎元器件，功率半導體產業與‘新基建’息息相關，是‘新基建’的‘心臟’。半導體芯片作為‘新基建’領域的底層支撐，疊加半導體產業化的結構機遇，本土功率半導體芯片需求將趨于旺盛。”

國聯安基金量化投資部總經理章椹元亦表示，在大力發展“新基建”的東風之下，半導體作為“新基建”中的基礎建材，未來行業發展可期。同時，其認為，半導體市場龐大，自給率嚴重不足，科技強國勢在必行，半導體國產化將加速。

在采訪中，多位業內人士持有上述觀點。其普遍認為，在5G和光學創新等需求帶動和中美貿易摩擦、國產替代進程加快等因素作用下，國內半導體產業鏈將有所收益，進口替代進程有望加速。

中金公司研究部認為，在“新基建”以及進口替代推動下，預計2025年中國通信基站用電源類功率半導體市場將達到126億元。

市場研究機構HIS Markit預計，未來中國功率半導體將繼續保持較高速度增長，2021年市場規模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。

“領頭羊”助推行業發展

可以預見的是，在“新基建”與國產替代的加持下，國內半導體以及功率半導體廠商將迎來巨大的發展機遇。

據悉，目前包括華微電子等眾多國內功率半導體廠商均已進入華為供應鏈。而且，作為全球5G網絡建設的主要參與者，華為、中興針對國產功率半導體的采購量也與日俱增。

然而，縱觀全球半導體產業，中國半導體市場體量更大，增長更快，但國產化率低，且MOSFET、IGBT等中高端芯片高度依賴進口，多處于產業鏈中下游。

我國半導體產業國產替代需求強烈。根據國信證券研報分析，在國產替代方面，國內半導體市場有10倍以上的增長空間。

而隨著“新基建”風口的到來，業內人士認為，2020年國產替代將會成為國內半導體產業發展的主線，除了設計環節，芯片代工、封裝、測試以及配套設備和材料等更多環節將會迎來協同發展。

華微電子是國內功率半導體器件領域首家上市公司，主要生產功率半導體器件及IC，應用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業控制與LED照明等領域。目前公司已形成IGBT、MOSFET、VDMOS、FRED、SBD、BJT、IPM等為營銷主線的系列產品。在國內功率半導體行業，華微電子擁有專利74項，其中發明專利18項，其還自主掌握了IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設計等核心工業技術。

記者在采訪中了解到，作為我國半導體生產龍頭企業，華微電子當前擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，芯片加工能力為每年400余萬片，封裝資源為24億只/年，模塊1800萬塊/年。同時，今年6月，其8英寸生產線將投入使用，未來華微電子將成為替代進口的有力競爭者。

華微電子目前正在加大對第三代半導體材料器件產品的布局。近日，吉林省商務廳發布《吉林市華微電子股份有限公司半導體產業園項目》相關事項說明，上述半導體產業園項目將斥資102億元建設。項目建成后，預計年銷售收入61.91億元，利潤20.43億元，投回收期7年(稅后，含建設期2年)，投資利潤率20%。

吉林省商務廳資料顯示，該半導體產業園將由華微電子現有廠區(30萬平方米用地)和高新北區(80萬平方米用地)組成。其中，現有廠區主要進行4、5、6、8英寸IGBT、MOSFET等芯片生產制造。高新北區規劃建設以下區塊：產業園研發實驗中心、新能源汽車配套模塊生產基地和終端生產基地、建設年產3GW光伏逆變器項目、第三代半導體材料器件生產基地。

“公司始終將技術創新作為企業發展的根本，在迫切需要實現核心科技自主可控、核心產品國產化替代的行業背景下，加速自主研發。隨著該項目的順利推進，將為華微電子在新能源汽車、變頻家電、光伏、軍工等新興領域發力提供支持，實現在中高端市場版圖上的進一步拓展。”華微電子方面表示。